一 μBGA、CSP 的主要特征 xtp大湾区工业设计网

1.1 μBGA、CSP 的定义xtp大湾区工业设计网
　　CSP(Chip Scale Package)的概念是在1994年11月由EIAJ主办的“94SMT论坛”上首先发表的，而美国在1992年就开始用MicroBGA（亦称μBGA）来替代超小型封装形式。也有的文献将CSP认作是Chip Size Package.xtp大湾区工业设计网
　　不论是称作Chip Scale Package还是Chip Size Package，都是强调了与裸芯片不同但是几乎达到了芯片尺寸同等级限的超小型封装。通常我们认为，在芯片引脚间隙（Pitch）大于1.27mm时，称为BGA（Ball Grid Array）;当芯片引脚间隙小于1.0mm时，称为CSP或μBGA。xtp大湾区工业设计网
　　当前0.8mm间隙的CSP在国外已经开始批量化生产，美国在许多种类的IC封装上使用0.75mm间隙的CSP，0.5mm 间隙的CSP也已开始正式使用。 xtp大湾区工业设计网

1.2 μBGA、CSP的封装形式xtp大湾区工业设计网
　　μBGA、CSP的封装常称作芯片尺寸封装或芯片等级封装。与常规封装类器件相同，具备基本的封装功能和特性。封装功能大致可分为对艺片的保护功能、缓和应力功能、尺寸匹配功能、通用化功能四种。CSP采用的载带或载体所形成的结构形式是比较自由的，分为扇入型、扇出型，也就是可将球形端设置在芯片内侧，也可设置在芯片外侧。如果用1.0mm或1.5mm间距的扇入型，就称作CSP，这是把CSP称为Fine Pitch BGA的原因。图1是NEC的Fine Pitch BGA外形。 xtp大湾区工业设计网

二 μBGA、CSP回流焊接工艺实验 xtp大湾区工业设计网

2.1回流焊接工艺实验设计xtp大湾区工业设计网
2.1.1实验设备介绍：ERSA HOTFLOW11回流炉xtp大湾区工业设计网
　　(1)ERSA HOTFLOW11回流炉的基本构造xtp大湾区工业设计网
　　我们所使用的ERSA HOTFLOW11 回流炉结构如图示。由包含冷却温区在内的个温区组成，第1温区和第4温区配置了面状远红外加热器，从第1温区到第4温区各配置了热风加热器，第1温区的温度上升范围由室温到150℃，第4温区为焊接温度，第2第3温区的加热主要是为均匀、缓慢加热，在充分预热的良好状态下而进入焊接温区。xtp大湾区工业设计网
2.1.2实验内容及方法：xtp大湾区工业设计网
　　实验分两部分进行。第一步先按焊膏供应商的要求设定良好的回流焊接温度曲线；第二步在固定的温度曲线下，实验传送带速度及强制热风流量对CSP焊接效果的影响。xtp大湾区工业设计网
　　(1)温度设定方法：回流炉的温度设定方法，这里以ERSA HOTFLOW11 的设定次序作一介绍。xtp大湾区工业设计网
　　(a)传送速度的设定：传送速度体现的是生产效率，要同前后设备的生产节拍相符合，同时要考虑到焊膏特性等因素。xtp大湾区工业设计网
　　˙由生产节拍决定速度的方法，见下式:xtp大湾区工业设计网
　　V=L*2/Txtp大湾区工业设计网
　　V--传送速度(m/s) xtp大湾区工业设计网
　　l--(m)xtp大湾区工业设计网
　　t--(s/块)xtp大湾区工业设计网
　　投入基板间隔如果按一块基板长度不设空档，因温度曲线的影响可将常数定为2。例长度假330毫米的基板，在生产节拍为40秒的场合，速度则为：xtp大湾区工业设计网
　　V=0.33m×2/40s=0.0165m/s(0.99m/min)xtp大湾区工业设计网
　　˙由均热时间的决定方法xtp大湾区工业设计网
　　一般在回流炉的第2、第3温区作为均热部，如将均热部的长度设定为x,均热时间Te的传送速度可见下式：xtp大湾区工业设计网
　　V=x/Textp大湾区工业设计网
　　例：均热部长度为1.2米，均热时间希望在100秒场合；xtp大湾区工业设计网
　　V=1.2m/100s=0.012m/s(0.72m/min)xtp大湾区工业设计网
　　(b)温度流程（曲线）的决定xtp大湾区工业设计网
　　一般Tn=Ti=150℃,Tj=210℃左右xtp大湾区工业设计网
　　˙热风加热温度的设定标准xtp大湾区工业设计网
　　第一温区热风热器温度设定的目标Te（基板温度）＋40~60℃.第二、第三温区为均热部分，热风的温度设定为Ti＋（10~20℃为热损耗部分）。第四温区热风加热器温度设定的目标温度为Tj＋10~30℃（也就是热容量最大的接合部温度）。  文  /  smt100

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